RD00HHS1 VS RD00HVS1

前回に引き続き三菱の高周波パワーFETの話
今回はRD00HVS1である。データシートを見るとVdd=12.5V F=175MHz Pin=0.005W Po=0.5W 形状STO-89となっている。見た目ではRD00HHS1と同じで、混在すると見分けがつかない。
　実験回路は、前回のものを使用しFETのみ取り替えたものである。
　今回の目的が28,50MHzのトランシーバーに使用することを想定しているので、試験も30MHzで行った。
　その結果（グラフ参照）を見るとRD00HHS1とRD00HVS1の差は1dB程度で殆ど同じカーブであった。高い周波数での比較を見ても、やはり1dB程度の差であった。
　これは、素子の特性よりも回路自体による特性が利いていると思われる。145MHz辺りとなるとやはり入出力のマッチングをもう少し考える必要がある。とはいえこんな簡便な回路構成でも145MHzにおいても17dB以上の利得があるのはすばらしい。
　前回の実験と併せて考えるとHF～50MHzで使うならばどちらでもOKである。値段も同程度。ストックするならより高周波での使用が期待できるRD00HVS1の1種類でも良いと思う。
　暇が出来たら145MHzに特化して実験してみよう。
　尚、前回の記事内　回路図においてT1：出力トランスの記述にミスがあったので、今回の回路図を参考にしてください。