IRF510 リニアアンプの実験

　海外の自作で時々使われており、国内でも時々話題にのぼっているスイッチング用IntersilのMOSFET　IRF510を実験してみた。

 高周波用が中々入手困難なことからこれらFETが使えれば大いに助かる。実験例などによるとHFのLOWバンドには十分なようである。中には50MHz500Wなどという製作例もあるようだ。

　回路はオーソドックスなプシュプル。IRF510の入力インピーダンスは数十Ωと思われるので、入力は1:1の伝送トランスで不平衡から平衡へ変換してゲートへ入力。出力は1:4の伝送線路的トランス（トロ活の読みすぎか）と1:1の伝送トランスで50Ω負荷へ接続。

　バイアスは、78L08の8Vを1KΩのVRで可変し470Ωを経由しゲートへ入力。ゲートは470Ωで接地。ケーと電圧は、1Vから4Vの可変範囲となる。

　実験は、電源電圧１２V　バイアス100mAと28V100mA,500mA　入力はSGの最大出力20dBmで行った。

　少々小さく申しわけないが、画像を見ていただきたい。 HF LOWバンドでは２８V時　増幅度20dBを裕に超える。12Vでも15-18dB以上確保できる。HF全体で見ても10dB以上出てくる。バイポラトランジスタの置き換えには十分使えそうである。50MHzでも28Vで使用すれば10dB以上稼げそうである。

　これ以上の入力ソースがないためリニアリティ、最大出力等は未チェックであるが、十分期待できそうである。使い方としてはけちけちせず高めの電圧、深めのバイアスとするほうが良い結果が出るようである。少々放熱が気になるが。3級２０W出力用リニアには余裕であろう。移動QRPには少々大食漢だと思う。

　国産でも探せばCissの少ないスイッチング用があるのだろうか？